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武漢科思特電化學(xué)工作站

簡(jiǎn)要描述：武漢科思特電化學(xué)工作站：±2A電流范圍（可擴(kuò)展至5A，20A）；±10V電壓范圍（可擴(kuò)展至50V）；±21V槽壓范圍（可擴(kuò)展至200V）；全浮地式測(cè)量；自由組合測(cè)試。

產(chǎn)品型號(hào)： CS150H

所屬分類(lèi)：武漢科思特電化學(xué)工作站

更新時(shí)間：2024-10-10

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

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詳情介紹

品牌	CorrTest/科思特	電位精度	0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
恒電位范圍	±2.0v	電流范圍	2nA～2AmA
電流精度	0.1%×滿量程讀數(shù)	產(chǎn)地類(lèi)別	國(guó)產(chǎn)
價(jià)格區(qū)間	面議	儀器種類(lèi)	電化學(xué)工作站
應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子	恒電位控制范圍	±10V
電位控制精度	0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV	電位靈敏度	10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電位上升時(shí)間	﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)	參比電極輸入阻抗	1012Ω\|\|20pF
槽壓輸出	±21V （可擴(kuò)展至±200V)	CV和LSV掃描速度	0.001mV～10000V/s
CA和CC脈沖寬度	0.0001～65000s	SWV頻率	0.001～100KHz
AD數(shù)據(jù)采集	16bit@1MHz，20bit @1KHz	DA分辨率	16bit
建立時(shí)間	1μS	通訊接口	USB2.0
外形尺寸（cm）	36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)	恒電流控制范圍	±2.0A
電流控制精度	0.1%×滿量程讀數(shù)	電流靈敏度	1pA
電流量程	2nA～2A, 共10檔	最大輸出電流	2.0A
電流掃描增量	1mA @1A/mS	電位掃描電位增量	0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈沖寬度	0.0001～1000s	CV的最小電位增量	0.075mV
電流與電位量程	自動(dòng)設(shè)置	低通濾波器	8段可編程
儀器重量	6.5Kg

一、產(chǎn)品介紹

武漢科思特電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和度，*硬件和功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。

●應(yīng)用

（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；

（2）電化學(xué)分析研究；

（3）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、*功能材料以及傳感器的性能研究；

（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；

（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

●硬件特點(diǎn)

雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器

高帶寬高輸入阻抗的放大器

內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)

電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可擴(kuò)展至±200V）

電流控制范圍：±2.0A（可擴(kuò)展至20A）

電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）

●軟件特點(diǎn)

①數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等；

化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

②實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③定時(shí)測(cè)量

CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能，對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，為實(shí)驗(yàn)提供方便。

●技術(shù)優(yōu)勢(shì)

①化曲線

具有線性化和Tafel化曲線測(cè)量功能，用戶可設(shè)定循環(huán)化曲線的陽(yáng)回掃電流（鈍化膜擊穿電流），來(lái)確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位，評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析化曲線，可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。

②伏安分析

能完成線性掃描伏安（LSV）、循環(huán)伏安（CV）、階梯伏安（SCV）、方波伏安（SWV）、差分脈沖伏安（DPV）、交流伏安（ACV）、溶出伏安等多種電分析方法，集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。

③電化學(xué)噪聲

采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動(dòng)，可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂等局部腐蝕研究。通過(guò)噪聲譜分析，可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長(zhǎng)和死亡過(guò)程?；谠肼曤娮韬忘c(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算，也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。

④功率擴(kuò)展

CS系列電化學(xué)工作站的電流控制范圍為±2.0A，槽壓輸出≥21V，可滿足燃料動(dòng)力電池、大功率電池充放電、電化學(xué)電解或電沉積等領(lǐng)域的需求。采用專用的功率擴(kuò)展器，大輸出電流可達(dá)20A，槽壓±200V。

⑤全浮地測(cè)量

CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電，可用于工作電本身接地體系的電化學(xué)研究，如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試（釜體接地），大地中金屬構(gòu)件（橋梁、混凝土鋼筋）的在線腐蝕研究等。

⑥光電測(cè)試模塊

武漢科思特電化學(xué)工作站可以與光強(qiáng)計(jì)、分光光度計(jì)聯(lián)用，用于光電化學(xué)測(cè)量，在進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量的同時(shí)記錄光電流或光譜響應(yīng)信號(hào)。

⑦自定義方法

支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無(wú)人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；

提供API通用接口函數(shù)和開(kāi)發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開(kāi)發(fā)和自定義測(cè)試方法；

提供用戶自定義腳本編寫(xiě)范例，用于實(shí)現(xiàn)您*的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

二、技術(shù)參數(shù)

硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位控制范圍：±10V	恒電流控制范圍：±2.0A
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV	電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)
電位靈敏度：10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)	電流靈敏度：1pA
電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)	電流量程：2nA～2A,共10檔
參比電輸入阻抗：1012Ω\|\|20pF	大輸出電流：2.0A
槽壓輸出：±21V（可擴(kuò)展至±200V)	電流掃描增量：1mA@1A/mS
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s	電位掃描電位增量：0.076mV@1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit@1KHz	電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS	低通濾波器：8段可編程
通訊接口：USB2.0	儀器重量：6.5Kg
外形尺寸（cm）：36.4(W)X32.0(D)X16.0(H)

配置：

1）儀器主機(jī)1臺(tái)

2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套

3）模擬電解池1個(gè)

4）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

5）電電纜線1條

6）電腦（選配*）

三、功能方法

CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較

功能方法		CS150H	CS300H	CS310H	CS350H
穩(wěn)態(tài)化	開(kāi)路電位（OCP）	●	●	●	●
	恒電位化（i-t曲線）	●	●	●	●
	恒電流化	●	●	●	●
	動(dòng)電位掃描（Tafel曲線）	●	●	●	●
	動(dòng)電流掃描（DGP）	●	●	●	●
	電位掃描-階躍				●
暫態(tài)化	任意恒電位階梯波	●	●	●	●
	任意恒電流階梯波	●	●	●	●
	恒電位階躍（VSTEP）	●	●	●	●
	恒電流階躍（ISTEP）	●	●	●	●
計(jì)時(shí)分析	計(jì)時(shí)電位法（CP）		●	●	●
	計(jì)時(shí)電流法（CA）		●	●	●
	計(jì)時(shí)電量法（CC）		●	●	●
伏安分析	線性掃描伏安（LSV）	●	●	●	●
	線性循環(huán)伏安（CV）	●	●	●	●
	階梯循環(huán)伏安（SCV）		●		●
	方波伏安（SWV）		●		●
	差分脈沖伏安（DPV）		●		●
	常規(guī)脈沖伏安（NPV）		●		●
	差分常規(guī)脈沖伏安（DNPV）		●		●
	交流伏安（ACV）		●		●
	二次諧波交流伏安（SHACV）		●		●
	傅里葉變換交流伏安（FTACV）		●		●
電流檢測(cè)	差分脈沖電流檢測(cè)（DPA）				●
	雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA）				●
	三脈沖電流檢測(cè)（TPA）				●
	積分脈沖電流檢測(cè)（IPAD）				●
溶出伏安	電位溶出分析（PSA）		●		●
	線性掃描溶出伏安（LSSV）		●		●
	階梯溶出伏安（SCSV）		●		●
	方波溶出伏安（SWSV）		●		●
	差分脈沖溶出伏安（DPSV）		●		●
	常規(guī)脈沖溶出伏安（NPSV）		●		●
	差分常規(guī)脈沖溶出伏安（DNPSV）		●		●
交流阻抗	阻抗-頻率掃描			●	●
	阻抗-時(shí)間掃描			●	●
	阻抗-電位掃描（Mott-Schottky曲線）			●	●
充放電測(cè)試	電池充放電	●	●	●	●
	恒電流充放電（GCD）	●	●	●	●
	恒電位充放電	●	●	●	●
	恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）	●	●	●	●
	恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）	●	●	●	●
雙恒測(cè)量	氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）
雙恒測(cè)量	盤(pán)環(huán)電測(cè)試
擴(kuò)展測(cè)量	電化學(xué)噪聲（EN）	●	●	●	●
	數(shù)字記錄儀	●	●	●	●
	電化學(xué)溶解/沉積	●	●	●	●
	控制電位電解庫(kù)倫法（BE）	●	●	●	●
	動(dòng)電位再活化法（EPR）	●	●	●	●
	溶液電阻測(cè)量	●	●	●	●
	循環(huán)化曲線（CPP）	●	●	●	●